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1,求单晶硅光伏电池成产中的扩散工艺的详细说明

您好 楼主很高兴看见了您的问题虽然我无法正确的回答您的问题但是我的回答能给您几点提示1 游戏中遇到了疑问可以先去看看游戏帮助2 当自己实在无法解决时可以求助资深玩家其实 很多难题都是完全可以自己解决的当您自己解决问题时是不是很有成就感。同时我也深信楼主的智慧!祝您能早日找到问题答案!希望我的回答也能够帮到您!祝您好运。谢谢采纳 !

求单晶硅光伏电池成产中的扩散工艺的详细说明

2,谁能告诉下太阳能电池制造中扩散的原理及工艺过程最好把工艺的原

扩散的目的:太阳能电池的基本就够就是一个PN结,而扩散就是为了形成PN结。 扩散的原理:太阳能电池一般选用的是P型掺杂的单晶硅片或者是多晶硅片,我们就需要通过扩散在上面形成一个N型的扩散层,从而形成PN结。现在一般采用的都是磷扩散。扩散源是三氯氧磷(pocl3),在900℃的高温下,它与硅片反应,生成二氧化硅和磷。具体的反应过程如下:

谁能告诉下太阳能电池制造中扩散的原理及工艺过程最好把工艺的原

3,太阳能电池扩散长度是反应什么的重要参数

你好,太阳能电池的扩散长度指材料中的少数载流子扩散长度,反映了少数载流子的寿命。扩散长度越长,说明少子寿命越长,材料缺陷越少,质量高。太阳能电池的量子效率和转换效率也就越高。它是反映半导体材料质量很重要的一个参数。单晶硅太阳能电池的扩散长度就比多晶硅的长。而非晶硅是最短的,效率最低。
p-n结形成才可能有电流,相当于产生了一个正负极。不知道和你的理解是否一样。。。

太阳能电池扩散长度是反应什么的重要参数

4,太阳能电池片加工中的掺杂与扩散原理

我明白你的意思了。现在工业生产太阳能电池片的硅片,都是P型衬底,意思是之前已经掺杂三族元素了,我们只需要进行磷扩散,就可以形成P-N结。 以n型半导体为底板结构的结晶硅类太阳能电池与以p型半导体为底板的结构相比,前者对杂质的抵抗性更大,在理论上更易提高能量转换效率。不过,此前许多结晶硅类太阳能电池几乎都采用以p型半导体为底板的结构。原因是在较厚的p型半导体上能够形成非常薄的n型半导体层。 德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer ISE)宣布,该机构研制的以n型半导体为底板,然后在其上面形成较薄的p型半导体层的单晶硅太阳能电池,其能量转换效率达到了23.4%。太阳能电池单元面积为2cm见方。

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