如何检测硅片洗干净，如何检验结晶是否洗净

1，如何检验结晶是否洗净

取少量结晶体配成溶液再用相关试剂检验原来结晶前溶液中的离子看是否有反应比如变色生成沉淀这些都可以的

如何检验结晶是否洗净

2，太阳能硅片清洗没清洗干净原因

主要是喷淋脱胶及清洗工艺和硅片切割工艺不匹配，当我搞懂怎么配清洗剂时就知道怎么回事了，我搞了两三年的，所以你需要慢慢找原因的

太阳能硅片清洗没清洗干净原因

3，纯净水的电阻在出水口处为多大时说明硅片已经被洗净

不是看水的电阻率的，而是看之前的清洗能力的，最后水的电阻率只是为了烘干时防止出现水印，和有没有清洗干净硅片没有直接关系，硅片有没有洗干净只能通过其他手段检验，检验手段一般要公司自己开发，多晶比较困难，单晶的检验手段比较直观。

纯净水的电阻在出水口处为多大时说明硅片已经被洗净

4，怎么判断角膜塑形镜片已经清洗干净呢

伊博视光认为，可在较亮的灯源下观察镜片是否透亮，如出现较多颗粒状漂浮物或蛋白质沉淀环，说明镜片清洗不够彻底。

看了那么多的帖子,还是觉得在美艳网问的靠谱些,我相信我自己了解到的

你好，按照说明书使用。

自己带上感觉啊，是不是比以前清楚了。。。

如果自己洗的话，在光线较强的地方用肉眼检查镜片是否光滑、透明，有没有污渍、划痕、边缘是否有缺口等。如果在医院或验配点的话，医生会用裂隙灯显微镜仔细检查，即使肉眼看不到的划痕裂隙灯下也可以看出来。平时洗过后用肉眼看，推荐至少一个月用裂隙灯检查一次

有没有污渍就干净了啊

5，怎样确定BaSO4已洗干净

取最后一次洗涤液，滴加AgNO3溶液。如果溶液不变浑浊，说明沉淀已洗涤干净。因为溶液不变浑浊，说明沉淀表面已无Cl-，Cl-被完全洗去。

用物理方法如分光光度法检验？好像Ksp没有比BaSO4再小的含Ba2+或者SO4 2-的沉淀了吧……

这要看滤液中含有什么离子。检验沉淀是否洗净，一般是洗涤后取洗涤液，向其中加入某种试剂，看有无现象。没有现象，就说明已洗净，如果某些特定现象，那么就没有洗净。

取最后一次洗涤液，滴加agno3溶液。如果溶液不变浑浊，说明沉淀已洗涤干净。

这要看滤液中含有什么离子。检验沉淀是否洗净，一般是洗涤后取洗涤液，向其中加入某种试剂，看有无现象。没有现象，就说明已洗净.

取最后一次的洗涤液于试管中，加入适量的BaCl2,无白色沉淀，洗净。

6，怎样验证cip是否清洗干净

CIP是否清洗干净从感官及微生物两个方面来判断，感官方面一般要求清洁后的水澄清，无可见杂质，检测水PH值是否有酸碱残留，一般认为与清洗水的偏差在0.5范围内即是合格。微生物就要看你需要达到什么样的标准，一般食品接触面的要求大肠菌群不得检出，菌落总数小于100。验证其是否干净，即清洁后取残留水观察，并对清洁后的设备或残留水做微生物测试，达到要求即视为干净。

cip（cleaning-in-place）即原地清洗或定置清洗。这种清洗方法，就是用水和不同的洗涤液，按照固定的程序通过泵循环，不用拆装设备以达到清洗的目的。cip清洗是保证产品质量和设备正常运行的必要手段，因而世界上很多软饮料生产厂家普遍采用cip系统进行设备的清洗。 cip清洗系统由酸罐、碱罐、热水罐、清水罐、气动执行阀、清洗液送出分配器、各种控制阀门、清洗管路和电气控制箱等组成。

这个你放心。生产之前清洗过后，都用水冲干净了。压力大得很。。。然后再检测。而且清洗这些管道无非就是强酸和强碱。都是有强腐蚀性的。这两种清洗液。这两种碰到一起会中和的，但可能会因发热导致爆炸。PH值达标后才敢生产的。。不达标的话，饮料生产出来都会变质的。什么叫酸性和碱性呢。。简单说。PH值小于某个值时就呈酸性。PH数值越低，酸性越强，而高于某个值时就呈碱性。。越高碱性就越强。。。如果刚好的话，如果达标的话就呈中性。。。。到化学品店或药店去买PH值试纸。。可以测出来。。。.

ATP快速涂抹仪器是一种现场快速又直观的检测方法，15秒就可以评价清洗状况，目前国外的公司验证清洗效果都是用这种方法。

7，如何清洗硅片

清洗方法（一）RCA清洗： RCA 由Werner Kern 于1965年在N.J.Princeton 的RCA 实验室首创, 并由此得名。RCA 清洗是一种典型的湿式化学清洗。RCA 清洗主要用于清除有机表面膜、粒子和金属沾污。 1、颗粒的清洗硅片表面的颗粒去除主要用APM ( 也称为SC1) 清洗液(NH4OH + H2O2 + H2O) 来清洗。在APM 清洗液中,由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2) , 呈亲水性, 硅片表面和粒子之间可用清洗液浸透, 硅片表面的自然氧化膜和硅被NH4OH 腐蚀,硅片表面的粒子便落入清洗液中。粒子的去除率与硅片表面的腐蚀量有关, 为去除粒子,必须进行一定量的腐蚀。在清洗液中, 由于硅片表面的电位为负, 与大部分粒子间都存在排斥力, 防止了粒子向硅片表面吸附。表2常用的化学清洗溶液名称组成作用 SPM H2SO4∶H2O2∶H2O 去除重有机物沾污。但当沾污非常严重时, 会使有机物碳化而难以去除 DHF HF∶(H2O2)∶H2O 腐蚀表面氧化层, 去除金属沾污 APM(SC1) NH4OH∶H2O2∶H2O 能去除粒子、部分有机物及部分金属。此溶液会增加硅片表面的粗糙度 HPM(SC2) HCl∶(H2O2)∶H2O 主要用于去除金属沾污 2、表面金属的清洗 (1) HPM (SC22) 清洗 (2) DHF清洗硅片表面的金属沾污有两种吸附和脱附机制: (1) 具有比硅的负电性高的金属如Cu ,Ag , Au , 从硅表面夺取电子在硅表面直接形成化学键。具有较高的氧化还原电位的溶液能从这些金属获得电子, 从而导致金属以离子化的形式溶解在溶液中, 使这种类型的金属从硅片表面移开。(2) 具有比硅的负电性低的金属, 如Fe , Ni ,Cr , Al , Ca , Na , K能很容易地在溶液中离子化并沉积在硅片表面的自然氧化膜或化学氧化膜上。这些金属在稀HF 溶液中能随自然氧化膜或化学氧化膜容易地除去。 3、有机物的清洗硅片表面有机物的去除常用的清洗液是SPM。SPM 具有很高的氧化能力, 可将金属氧化后溶于溶液中, 并能把有机物氧化生成CO2 和水。SPM 清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污较重时会使有机物碳化而难以去除。经SPM 清洗后, 硅片表面会残留有硫化物,这些硫化物很难用去粒子水冲洗掉。（二）气相干洗气相干洗是在常压下使用HF 气体控制系统的湿度。先低速旋转片子, 再高速使片子干燥, HF 蒸气对由清洗引起的化学氧化膜的存在的工艺过程是主要的清洗方法。另一种方法是在负压下使HF 挥发成雾。低压对清洗作用控制良好,可挥发反应的副产品, 干片效果比常压下好。并且采用两次负压过程的挥发, 可用于清洗较深的结构图形, 如对沟槽的清洗。 MMST工程主要目标是针对高度柔性的半导体制造业而开发具有快速周期的工艺和控制方法。能够通过特定化学元素以及成分直接对硅片表面进行清理，避免了液体带来的成分不均匀和废液的回收问题，同时节约了成本。 1、氧化物去除：用气相HF/水汽去除氧化物，所有的氧化物被转变为水溶性残余物, 被水溶性去除。绕开了颗粒清除过程，提高了效率。 2、金属化后的腐蚀残余物去除：气相HF/氮气工艺用于去除腐蚀残余物，且金属结构没有被钻蚀。这个工艺避免了昂贵而危险的溶剂的使用, 对开支、健康、安全和环境等因素都有积极的影响。 3、氮化硅和多晶硅剥离：在远离硅片的一个陶瓷管中的微波放电产生活性基, 去除硅片上的氮化硅和多晶硅, 位于陶瓷管和硅片之间的一块挡板将气体分散并增强工艺的均匀性, 剥离工艺使用NF3,Cl2,N2和O2的组合分别地去除Si3N4, 然后去除多晶硅。 4、炉前清洗：用气相HF/HCl气体进行炉前清洗并后加一个原位水冲洗过程, 金属粒子的沾污被去除到了总反射X射线荧光光谱学(XRF)的探测极限范围之内。 5、金属化前,等离子腐蚀后和离子注入后胶的残余物去除: 臭氧工艺以及气相HF/氮气工艺还需进一步的改进才能应用。但是有一种微剥离工艺，用SC1/超声过程去除最后的颗粒。

硅片种类很多啊，有半导体的硅片，有太阳能级的硅片，单晶多晶的，清洗起来都有所差异的，但是清洗原理差不多的，主要药剂都是酸碱为主的

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