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1，太阳能硅板价格 多晶的电池板

有，厂家可以按尺寸给你定做，价格贵一点你要的型号在20000左右，要是900w那就要28000左右了

太阳能硅板价格 多晶的电池板

2，太阳能原生多晶价格像煤块一样的

太阳能电池板 多晶 10W 光伏组件 太阳能板 10瓦 组件 140元 多晶太阳能电池板 12V 24V 滴胶 层压太阳能板 组件 设计寿命25年 15元 太阳能板 多晶太阳能电池板5瓦 层压板 5W 12V使用 59元

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3，最新报价太阳能多晶板多少钱一瓦

质量好的4-5块/W质量差的3块多/瓦质量更差的2块多/瓦
我记得之前问过一次 他是做太阳能板的 说是就是高速路上见得太阳能板 一个就是1万2左右
看是大组件还是小组件了，大组件4块来钱，小板子要8块来钱一瓦。
应该是九块多一瓦吧，我是在允能科技的网站做的，他们很人性化，有个免费报价系统来着，找他们帮弄了个图纸方案，还可以的。

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4，如何区分单晶非晶多晶光伏电池板

如果只是直接区分电池板(组件),而不是材料的话: 1. 名称: 单晶组件-Mono PV module 多晶组件-Poly PV module 非晶组件-Amorphous PV mudule 2. 组件的典型输出电压 单晶和多晶类似 - 开路电压通常在50V以下,短路电流大于5A(视规格而定) 非晶 - 开路电压多在60V左右,短路电流较小,3~4A的样子(视规格而定) 3. 效率 单晶组件15-16%(视规格) 多晶组件稍低于单晶14.5-15.5%(视规格) 多晶组件11-12%(视规格) 4.外观 非晶颜色最深 单晶次之 多晶最浅 这个粗浅的判断,仅供参考 最重要的还是要看厂家的规格书,以规格书为准 仅供参考

5，太阳能晶硅板介绍单晶硅与多晶硅外形如何和性质区分

这个很容易.让我告诉你吧. 你说的太阳能硅板,其实我们叫太阳能组件板. 组件呢其实是 由核心的太阳能电池片串并联后,与防腐防湿的背板和正面钢化玻璃经过层压而成的. 如何区分单晶板和多晶板其实就是如何区分层压在里面的太阳能电池是单晶的还是多晶的. 一般来说,表面没有经过特殊处理的多晶电池表面可以看到一小块一小块颜色深浅不一分布不均的样子.这样的多晶电池我们叫多彩;而单晶的则是整体颜色均匀. 但是也有例外,另外一种工艺可以把多晶电池表面做得和单晶一样颜色均匀.我们叫绒面多晶,外观和单晶一样.所以如果从颜色上区分不了的话,可以从单个电池片的四个边角来观察.一般单晶电池片都是大倒角的.无论125还是156的规格.而多晶电池片则是小倒角,而且以156规格为居多. 性能上两种组件没有区别.没有使用范围的限制.不分优劣. PS:倒角,和晶向有关,简单来说就是电池片本来应该是个正方型,但是4个本来是直角的边被削去了一块的样子. 希望解释能让你满意. 如果还有什么不了解.加我 442 886 515 Q

6，光伏多晶硅

多晶硅材料小知识 A、太阳能级多晶硅料 技术要求： 总体要求：硅含量99.9999% 含硼量：<0.20ppba 含磷量：<0.90ppba 含碳量：<1.00ppba 金属含量：<30.00ppba 金属表面含量：<30.00ppba 尺寸大小要求：25mm---250mm 多晶种类：P型 电阻率：>0.50Ohmcm B、破碎半导体级硅片 技术要求： 半导体级碎硅片 片子形状为圆弧形碎片 硅片厚度>=400um 型号为P型 电阻率：>0.50Ohmcm C、小多晶硅 技术要求 1. 型号为N型，电阻率大于50ohmcn，碳含量小于5*1016/cm3，氟含量小于 5*1017/cm3 2. 块状为4mm 3. 不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料 D、直拉多晶硅 技术要求 1.磷检为N型，电阻率大于100ohmcm， 硼检为P型，电阻率大于1000ohmcm.少娄载流子寿命大100um，碳含量小于1016cm3，氧含量小于1017 cm3 2. 块状小于30mm 3. 不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料 E、区熔头尾料 技术要求 1. N型，电阻率大于50chmom 少数载流子寿命大于100μm 2. 块状大于 30mm 3. 区熔头尾料不能有气泡，不能有与线圈接触所造成的沾污，更不能有区熔过程的流硅或不熔物。 4. 最好为免洗料 F、直拉头尾料（IC料），最好为免洗料 1. N型，电阻率大于10ohmom 2. P型，电阻率大于 0.5ohmom 3. 块状大于30mm，片厚大于0.5mm 4. 直拉头尾料不能气泡，更不能有不熔物

7，单晶硅太阳能电池板和多晶硅太阳能电池板在外观上怎么区别

说点简单的：1.单晶太阳能板里面的电池片四边都有缺角的；多晶的四角是完整的。从外观上，单晶板上可以看到规则的空白，多晶板上没有。2.颜色：单晶板一般偏黑色，多晶一般是蓝色。
单质硅的一种形态，为棕黑色或灰黑色的微晶体。这种固体硅不具有完整的金刚石型晶胞，纯度不高，熔点、密度和硬度等数值也明显低于晶态硅；化学性质比晶态硅活泼。多晶硅性质：灰色金属光泽。密度在2.32到2.34摄氏度之间，熔点为1410摄氏度，沸点为2355摄氏度。溶于氢氟酸和硝酸的混合液中，不溶于水、硝酸以及盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下表现为质脆，切割时易碎裂。加热至800摄氏度以上即有延性，加热至1300摄氏度会出现明显的变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业生产中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等。多晶硅是由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。
多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。 在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。 从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；[2] 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料；[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级；[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14％。据报道，目前在50～60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16％。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17％，无机械刻槽在同样面积上效率达到16％，采用埋栅结构，机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8％。
单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。　　如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。　　多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。
多晶硅太阳能电池和单晶硅太阳能电池是没有区别的。多晶硅太阳能电池和单晶硅太阳能电池的寿命和稳定性都很好。虽然单晶硅太阳能电池的平均转换效率比多晶硅太阳能电池的平均转换效率高1%左右，但是由于单晶硅太阳能电池只能做成准正方形（4个顶端是圆弧），当组成太阳能电池组件时就有一部分面积填不满，而多晶硅太阳能电池是正方形，不存在这个问题，因此对于太阳能电池组件的效率是一样的。 另外，由于两种太阳能电池材料的制造工艺不一样，多晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量要比单晶硅太阳能电池少30%左右

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