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1，关于坐式草坪机的声明大家帮我翻译一下啊高分

我声明：1、此坐式割草机为发动机驱动，底盘由独立的前后两部分组件构成。发动机安装在上述的后半部分组件上,割草片由前半部分组件支持且由发动机驱动。改进部分包括一对连接前半部分组件的前轮和一对连接后半部分组件的后驱动轮。此对后驱动轮有一根操纵后轮的轴，后驱动轮还包括一根垂直操纵轴。当上述后驱动轮转向时，此垂直操纵轴位于上述底盘的后部，且与后轮轴的距离要小于前轮轴与后轮轴之间的距离。后驱动轮还包括一根完全垂直于上述后驱动轮的水平轴，此水平轴补放在垂直轴的位置且位于两个后驱动轮的中间。上述发动机附有一个与垂直操纵轴同心的输出管杆。2、声明1中所言的坐式割草机，其后部组件附有一个装有differentical齿轮的传动箱。一根后轴为上述后驱动轮传输动力。在发动机和传送箱之间有一根传送带。传送带和上述水平轴在同一位置。
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关于坐式草坪机的声明大家帮我翻译一下啊高分

2，太阳能单晶组件是什么

太阳能单晶组件：单体太阳电池不能直接做电源使用。作电源必须将若干单体电池串、并联连接和严密封装成组件。太阳能电池组件（也叫太阳能电池板）是太阳能发电系统中的核心部分，也是太阳能发电系统中最重要的部分。其作用是将太阳能转化为电能，或送往蓄电池中存储起来，或推动负载工作。整个连成一个太阳能单晶组件。
单晶硅太阳能电池组件，它包括一个单晶硅片，每个电池片为切割硅单晶圆棒的正六边形，电池片之间整齐排序排列串联构成。组件的D、F端以沿正六边形的最长对角线方向将电池片、部分坏角电池片或崩边的电池片切割好的半片电池串联后填充空隙，组件的E、G端以沿正六边形的对边的中心线方向将电池片、部分坏角电池片或崩边的电池片切割好的半片电池串联后填充空隙，组件封装。本实用新型具有实用、效率高，能够有效降低单晶硅太阳能组件发电成本的特点。优化了的电池片排序，提高了组件面板面积利用率，适用于各种尺寸单晶硅电池以及各种组件面积的太阳能单晶硅组件的制造。

太阳能单晶组件是什么

3，531之后光伏的发展趋势到底怎样

光伏产业发展趋势分析 行业去补贴化将成主流531新政后，光伏行业去补贴化将成主流随着被称作史上最严光伏政策“5·31”新政的出台，近年来高速发展的光伏行业出现“降温”。面对新建规模严控、补贴下调等政策，15家A股光伏企业发布的2018年半年业绩报告预告显示，近一半企业净利润较去年同期有所下降。在未来一段时间里，光伏行业去补贴化将成主流，行业洗牌在即，不少光伏企业开始谋转变求生存。6月后光伏不再进行补贴据前瞻产业园产业研究院发布的《光伏行业投融资前景与战略分析报告》数据显示，在产业层面，上半年抢装不如预期，1-5月组件价格基本处于持续下降状态，尤其是“5·31”新政后，组件价格甚至跌破2元/瓦，半年降幅达到近30%。多家组件企业处于亏损状态，中小企业更加明显。从光伏上游企业来看，“5·31”新政后，国内多家硅料厂开始停产检修，总计超过10家，同时硅料价格跌幅也进一步加快; 硅片方面，上半年一些多晶硅片企业受制于设备、资金等因素，陆续停产或破产，6月以来有加速趋势，而且硅片价格持续下降，平均每月下降0.3元/片。去年有半数以上企业净利润下滑，今年一季度又有13家继续下滑。其中，组件企业形势尤为严峻，净利润率降至1%以下，部分企业甚至出现亏损，光伏行业已经进入了“微利”时代。光伏海外市场前景广阔实际上，光伏行业去补贴是必由之路。如果去年底存量130GW未进目录的光伏项目全部进目录，则每年补贴需求为700亿元以上。到2020年平价上网到来之前，增量项目大概需要160亿元的补贴。这样算来，平价上网之前，中国光伏行业每年需要超800亿元的补贴。面对国内市场的低迷，不少骨干企业已加速开拓国外市场，部分光伏企业海外市场已占自身出货量的70%以上。“跑步”进入平价上网时代与此同时，光伏企业想要继续谋求发展，就必须快速转变发展思路、迎难而上，“跑步”进入平价上网时代。未来光伏行业发展的重点在于“降本增效”。会在逆变器内部大量使用自制件，降低生产成本，为投资商提供性价比更高的产品。目前很多企业都在推广半片组件等高效产品，在增加一定设备投入的同时，明显提高发电效率，从而在降本和增效之间取得平衡，技术的进步，能够早日实现平价上网。此外，新政严控光伏新增规模也并非一刀切。新政的出台不是为了控制光伏规模发展，对于先进技术、高质量产品、不需要国家补贴的电站项目“是留了口子的”。在光伏企业看来，下一阶段，分布式光伏仍是行业发展重点。目前我国已有12个省市提供地方性补贴，个别地区盛市、县补贴叠加最高可达0.75元/千瓦时，仍可以开展户用光伏项目，下一步将把资源聚焦在收益较高的地区。下半年常规户用光伏市场整体会有下降，重点开发有地方补贴的城市，以及一些小型工商业项目。分布式装机呈现出多样化发展态势目前，我国分布式装机占比已经从去年的30%增长到今年上半年的接近50%，并呈现出多样化的发展态势。未来，随着分布式电源市朝交易的推广，将会促进更多商业模式的创新。我国光伏行业从过去追求速度和规模转向高质量和高效率方面，这对光伏行业发展有非常重要的意义。相比集中式电站，补贴强度更高的分布式光伏面临的补贴退坡压力更大，未来分布式光伏发展将逐步由“补贴驱动”发展为“配额驱动”，最终过渡到“完全市场驱动”。优化光伏发展环境对此，光伏企业对优化行业环境也有所期待。在成本问题上，光伏电站建设的非技术性成本已占总投资成本的20%以上，包括土地成本、财务成本和并网成本，希望政策制定者加强落实、创新手段，切实降低光伏电站建设的非技术成本。而“融资难”问题上，要形成规范成熟的融资体系，来保障光伏行业健康有序的发展。光伏未来发展趋势分析下一步将着力优化光伏发电的发展环境，通过开展光伏发展专项监管工作，建立市撤境监测评价机制，出台减轻可再生能源领域企业投资经营负担政策文件等，加大行业监管力度，引导企业理性投资，优化行业发展环境，着力解决制约光伏发展的突出矛盾和问题，不断完善光伏发电的发展政策，发挥市场配置资源的决定性作用，完善市锄制。
531光伏新政对中国的光伏产业影响究竟有多大？从以下的数据就可见一斑：2018年上半年我国新增装机24．3GW，和2017年同期相比，基本持平；但近日国际研究机构GTM research发布的最新报告却显示，2018年中国的光伏需求预期将从48．2GW下降至28．8GW，降幅超过40％。也就是说，今年下半年，我国光伏新增装机可能仅有4．5GW，而去年下半年，这一数据还有约19GW。装机量下降，最直观的影响就是产品过剩，价格下跌。8月份，光伏组件价格已降至0．25美元／瓦（1．72元／瓦），而就在4月份，还有媒体报道称，光伏组件的价格大概在2．4元／瓦－2．5元／瓦之间，个别招标上，报价甚至已经低于2．4元／瓦。大概谁也没有想到，这个让相关从业者叫苦不迭的价格，仅仅过去了4个月不到的时间，就已经成为了“可望而不可及”的高价。国内市场情况如何暂且不论，因为激烈的竞争有目共睹。在这种严峻的形势下，首先支撑不住的就是中小企业，大部分小企业不得不停产。而大型企业则在苦苦支撑之余，开始谋求新的出路，一方面逆势扩产提升份额，另一方面则开始扩张海外市场。海外市场对如今的中国光伏产业来说，确实占据着相当大的份额，不过，这些大多得益于光伏企业的提前布局，目前，国际上对华光伏双反。提高关税的措施屡见不鲜，海外市场的开拓，也确实是举步维艰。531光伏政策相关资料《净利润均大幅下滑，“531”新政影响凸显》

531之后光伏的发展趋势到底怎样

4，半导体材料定义

导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。正是利用半导体材料的这些性质，才制造出功能多样的半导体器件。 半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体材料按化学成分和内部结构，大致可分为以下几类。1.元素半导体有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。50年代，锗在半导体中占主导地位，但 锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到60年代后期逐渐被硅材料取代。用硅制造的半导体器件，耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件。因此，硅已成为应用最多的一种增导体材料，目前的集成电路大多数是用硅材料制造的。2.化合物半导体由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。它的种类很多，重要的有砷化镓、磷化锢、锑化锢、碳化硅、硫化镉及镓砷硅等。其中砷化镓是制造微波器件和集成电的重要材料。碳化硅由于其抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好，在航天技术领域有着广泛的应用。3.无定形半导体材料 用作半导体的玻璃是一种非晶体无定形半导体材料，分为氧化物玻璃和非氧化物玻璃两种。这类材料具有良好的开关和记忆特性和很强的抗辐射能力，主要用来制造阈值开关、记忆开关和固体显示器件。4.有机增导体材料已知的有机半导体材料有几十种，包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，目前尚未得到应用 。 　　特性和参数 半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。不同类型半导体间接触（构成PN结）或半导体与金属接触时，因电子（或空穴）浓度差而产生扩散，在接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性，可以制成具有不同功能的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等。此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、电、磁等因素）的变化非常敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换。 　　半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类缺陷。位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度，对于非晶态半导体材料，则没有这一参数。半导体材料的特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别 ，更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下，其特性的量值差别。 　　种类 常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、 Ⅳ-Ⅵ族（如硫化铅、硒化铅等） 、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半导体主要为三元和多元固溶体，如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。有机化合物半导体有萘、蒽、聚丙烯腈等，还处于研究阶段。此外，还有非晶态和液态半导体材料，这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。 　　制备 不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。 　　所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上 ，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯；另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。 　　
非晶态半导体材料　　【英】noncrystalline semiconductor materials 　　解释：非晶态半导体材料是指不具有晶格平移对称性的半导体材料。 　　非晶态的主要特征:①它是一种非平衡的亚稳态，其自由能高于同质的晶体;②长程无序和短程有序。短程有序是在近邻原子间有着与同质晶体类似的结构，但近邻原子间距及键角等与晶体相比稍有不规则的畸变。在重要的非晶态半导体中，原子都是靠共价键或带有极性的共价键相结合的。非晶态半导体的能带中也存在导带、价带和禁带、但与晶态半导体不同 的是，能带中除了存在扩展态外，还存在由无序引起的带尾定域态。扩展态与定域态交界处称为迁移率边，导带迁移率边和价带迁移率边之间称为迁移率带隙。带隙中存在着由缺陷和无序引起的隙态。非晶态半导体也由电子和空穴导电，但其导电机制较复杂，除了扩展态电子导电外，还有定域态电子通过与非晶格子相互作用的跳跃式导电。由于非晶态半导体中大量缺陷和隙态的存在，其载流子迁移率很低，在室温下电子的迁移率只有5-10cm2/(V·s)。 　　人们研究最多的为四面体结构和硫系两类非晶半导体。 (l)四面体结构非晶态半导体。其中主要的有现族元素非晶态半导体，如非晶硅和非晶锗(分别表为a-Si和a-Ge)，以及l-V族化合物非晶态半导体，如 a-GaAs，a-Gap，a-Inp，a-Gasb等。这类非晶态 半导体的最近邻原子配位数主要为4。 (2)硫系非晶态半导体。这类非晶半导体中含有很大比例的硫系元素，如S、SeTe等。它们常常是以玻璃态形式出现，例如S、Se、Te、AsZs3、AsZTe3、As:Se3、SbZS3、Sb:Te3、Sbose3及三元系AsZSe3-AsZTe3 和四元系TeZSe3-ASZTe3等都属此类，其范围很广。除此以外，还发现了多种非晶态半导体，其中重要者，如氧化物非晶态半导体GeOZ、BaO、TiOZ、 SnOZ、Ta:O3等，l族和v族元素非晶态半导体，如 　　a -B、a-As等。在所有非晶态半导体中，氢化非晶硅(a-Si:H)得到最广泛的研究和应用。在a-Si:H 中，由于H的掺人，使其隙态密度大大下降，从而在其中首先实现了N型和P型掺杂，制得了具有整流特性的PN结，并进而开发了a-Si:H太阳能电池和薄膜场效应晶体管等非晶态半导体器件。非晶态半导体已日益得到广泛的应用，如显示、图像传感、静电复印感光膜、光信息存贮片(光盘)及各种传感器等。 　　制备非晶态半导体的主要方法有两大类:一类是从液态经快淬冷却制得，制备块状硫系非晶半导体多采用这种方法，得到的常是玻璃态;另一类是用真空蒸发、溅射、辉光放电及化学气相沉积(CVD)等方法，可制得薄膜状非晶态半导体，制备a-si，a-Ge及其他四度配位化合物非晶态半导体多采用这类方法。

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